盖世汽车讯 诸如LED和晶体管之类的半导体器件通常由两部分组成：n型部分，通过电子承载负电荷；以及p型部分，通过空穴（本质上是电子空位）承载正电荷载流子。这两部分都依赖于能够使电流以最小能量损耗流入和流出的接触。这些被称为欧姆接触的连接，由于其高电阻，几十年来一直是薄p型GaN半导体效率的瓶颈。 据外媒报道，由名古屋大学（Nagoya University）材料与系统可持续发展研究所（IMaSS）的王海涛（Haitao Wang）和王佳（Jia Wang）领导的研究团队开发了一种降低p型GaN接触电阻的新方法。他们在p-GaN表面沉积了一层超薄镁层，并在600°C（1112°F）下进行5分钟的热处理，在不损伤表面的情况下实现了(1–3) × 10⁻⁴ Ω cm²的接触电阻。这是目前报道的薄型p型氮化镓（GaN）接触电阻率最低的器件之一。相关研究成果已发表在期刊《应用物理快报》（Applied Physics Letters）上，有望提高电动汽车和数据中心等场所使用的各种电子设备的能效。 p-GaN接触的挑战 镁掺杂p型GaN由名古屋大学的Isamu Akasaki和Hiro...